Tranzistory - FET, MOSFET - pole

Domov
kategorie produktů
Diskrétní polovodičové v&yacu
Tranzistory - FET, MOSFET - pole

APTM120H140FT1G

Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

část skladu: 1785

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

část skladu: 1187

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM100A13DG

část skladu: 505

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 65A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Na přání

APTC60VDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

část skladu: 1155

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Super Junction, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

část skladu: 858

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

část skladu: 728

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

APTMC120TAM12CTPAG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

část skladu: 63

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Na přání

Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

část skladu: 799

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

část skladu: 1635

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

část skladu: 860

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

část skladu: 1954

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

část skladu: 880

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60AM242G

část skladu: 951

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

část skladu: 440

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 163A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM120DU15G

část skladu: 383

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Na přání

APTC60DDAM35T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

část skladu: 1490

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

část skladu: 401

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Super Junction, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM10TAM19FPG

část skladu: 905

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

část skladu: 622

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

část skladu: 814

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

část skladu: 825

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

část skladu: 874

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

část skladu: 1737

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

část skladu: 517

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Na přání

APTMC60TLM14CAG

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

část skladu: 121

Typ FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Na přání

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

část skladu: 485

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 372A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Na přání

APTMC120AM12CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

část skladu: 202

Typ FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Na přání

APTC60TAM21SCTPAG

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

část skladu: 341

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 116A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

část skladu: 772

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

část skladu: 1322

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Na přání

APTMC120TAM17CTPAG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

část skladu: 81

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

Na přání

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

část skladu: 2039

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

část skladu: 808

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

část skladu: 635

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

část skladu: 726

Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

část skladu: 866

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Na přání

3600

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»