Tranzistory - FET, MOSFET - pole

UPA1981TE-T1-A

část skladu: 3313

DMN4031SSDQ-13

část skladu: 188739

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN3055LFDB-13

část skladu: 174963

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMHC3025LSDQ-13

část skladu: 190261

Typ FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP1055UFDB-7

část skladu: 154659

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC3400SDW-13

část skladu: 156092

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 650mA, 450mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

DMT6018LDR-7

část skladu: 150011

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVLJD4007NZTBG

část skladu: 108671

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 245mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDG6304P-F169

část skladu: 2990

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8661-TL-H

část skladu: 105690

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A, 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTZD3155CT2G

část skladu: 199865

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1025P

část skladu: 151612

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMD85100

část skladu: 46969

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDMD8530

část skladu: 84078

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTD5C688NLT4G

část skladu: 10808

Typ FET: N-Channel, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Ta), 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

NTMD4840NR2G

část skladu: 184655

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG8842CZ

část skladu: 124470

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 750mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG8850NZ

část skladu: 105054

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 750mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5877NLWFT1G

část skladu: 160834

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1027PT

část skladu: 2928

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

ECH8663R-TL-H

část skladu: 143975

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 4A, 4.5V,

CSD87588NT

část skladu: 67251

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

CSD87381PT

část skladu: 109565

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

CSD87355Q5DT

část skladu: 39849

Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funkce FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 45A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

SI4804CDY-T1-E3

část skladu: 129067

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4922BDY-T1-GE3

část skladu: 93125

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SQJQ900E-T1_GE3

část skladu: 69083

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6963BDQ-T1-E3

část skladu: 3001

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

STL40DN3LLH5

část skladu: 125168

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

STS4DPF20L

část skladu: 3125

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SLA5212

část skladu: 13376

Typ FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A,

IRL6372TRPBF

část skladu: 136919

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

GMM3X160-0055X2-SMD

část skladu: 3118

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMM22-05PF

část skladu: 4623

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

SP8J2FU6TB

část skladu: 120135

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

CMLDM8002AG TR

část skladu: 161314

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,