Menu
češtinačeština
0RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

BCR 149F E6327
Infineon Technologies

BCR 149F E6327

část skladu: 3262

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 148T E6327
Infineon Technologies

BCR 148T E6327

část skladu: 1882

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR148WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

část skladu: 1902

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 148F E6327
Infineon Technologies

BCR 148F E6327

část skladu: 3260

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 148L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

část skladu: 1913

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 148F B6327
Infineon Technologies

BCR 148F B6327

část skladu: 1865

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 148 B6327
Infineon Technologies

BCR 148 B6327

část skladu: 1911

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 146T E6327
Infineon Technologies

BCR 146T E6327

část skladu: 1826

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 146L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

část skladu: 3245

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 146F E6327
Infineon Technologies

BCR 146F E6327

část skladu: 1912

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR142WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

část skladu: 1824

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 142L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

část skladu: 1858

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 142T E6327
Infineon Technologies

BCR 142T E6327

část skladu: 1827

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR142B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

část skladu: 1896

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 142F E6327
Infineon Technologies

BCR 142F E6327

část skladu: 1836

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 141T E6327
Infineon Technologies

BCR 141T E6327

část skladu: 1866

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 141F E6327
Infineon Technologies

BCR 141F E6327

část skladu: 1842

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 141L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

část skladu: 1865

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 139T E6327
Infineon Technologies

BCR 139T E6327

část skladu: 1828

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

část skladu: 1852

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 139F E6327
Infineon Technologies

BCR 139F E6327

část skladu: 1851

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR135WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR135WE6327BTSA1

část skladu: 1901

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 135T E6327
Infineon Technologies

BCR 135T E6327

část skladu: 1886

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 135L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 135L3 E6327

část skladu: 1824

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR133WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR133WE6327HTSA1

část skladu: 1880

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 135 B6327
Infineon Technologies

BCR 135 B6327

část skladu: 1826

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 133T E6327
Infineon Technologies

BCR 133T E6327

část skladu: 1833

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 133L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 133L3 E6327

část skladu: 5335

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 133F E6327
Infineon Technologies

BCR 133F E6327

část skladu: 1858

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR129WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR129WE6327HTSA1

část skladu: 1894

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 133 B6327
Infineon Technologies

BCR 133 B6327

část skladu: 1845

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 129T E6327
Infineon Technologies

BCR 129T E6327

část skladu: 1855

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 129L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 129L3 E6327

část skladu: 1847

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR119WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR119WE6327HTSA1

část skladu: 1904

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 119L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 119L3 E6327

část skladu: 1849

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání
BCR 119T E6327
Infineon Technologies

BCR 119T E6327

část skladu: 1913

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání