Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn

PDTC123TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123TM,315

část skladu: 198239

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Na přání
PDTC124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC124XMB,315

část skladu: 138730

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

Na přání
PDTB143EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB143EQAZ

část skladu: 106198

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Na přání
PDTD113ZQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD113ZQAZ

část skladu: 191015

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Na přání
PDTA143XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143XMB,315

část skladu: 167339

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Na přání
PDTC115TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC115TM,315

část skladu: 119965

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na přání
PDTC143TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TM,315

část skladu: 144179

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Na přání
PDTC143EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC143EQAZ

část skladu: 183191

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na přání
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC114TMB,315

část skladu: 145942

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Na přání
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC115EMB,315

část skladu: 187513

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Na přání
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114TMB,315

část skladu: 135751

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Na přání
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC114EMB,315

část skladu: 181666

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání
PDTC143ZMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143ZMB,315

část skladu: 196414

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Na přání
DTA043EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA043EMT2L

část skladu: 127323

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Na přání
DTC114YMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC114YMFHAT2L

část skladu: 120

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased + Diode, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání
DTB143ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB143ECHZGT116

část skladu: 58

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased + Diode, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Na přání
DTA143TMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143TMFHAT2L

část skladu: 76

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na přání
DTC023EUBTL
Rohm Semiconductor

DTC023EUBTL

část skladu: 140118

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

Na přání
DTC114YCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC114YCAHZGT116

část skladu: 124

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased + Diode, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání
DTA114TCAT116
Rohm Semiconductor

DTA114TCAT116

část skladu: 197746

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na přání
DTC115TUAT106
Rohm Semiconductor

DTC115TUAT106

část skladu: 125980

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na přání
DTA043ZUBTL
Rohm Semiconductor

DTA043ZUBTL

část skladu: 103603

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na přání
DTA143XETL
Rohm Semiconductor

DTA143XETL

část skladu: 154528

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na přání
DTA143XMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143XMFHAT2L

část skladu: 81

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na přání
DTA144EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA144EMT2L

část skladu: 115065

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 30mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání
DTB123EKFRAT146
Rohm Semiconductor

DTB123EKFRAT146

část skladu: 69

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased + Diode, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

Na přání
DTB123TKT146
Rohm Semiconductor

DTB123TKT146

část skladu: 124419

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 40V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Na přání
DTC114YU3T106
Rohm Semiconductor

DTC114YU3T106

část skladu: 62

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased + Diode, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání
DTA113ZKAT146
Rohm Semiconductor

DTA113ZKAT146

část skladu: 178102

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Na přání
DTC043ZMT2L
Rohm Semiconductor

DTC043ZMT2L

část skladu: 122981

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Na přání
DTC114ECAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC114ECAHZGT116

část skladu: 141

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased + Diode, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na přání
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor

DTA143TM3T5G

část skladu: 156016

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na přání
SMMUN2111LT3G
ON Semiconductor

SMMUN2111LT3G

část skladu: 143334

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Na přání
DTC113EET1G
ON Semiconductor

DTC113EET1G

část skladu: 188808

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 1 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 1 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Na přání
FJX4007RTF
ON Semiconductor

FJX4007RTF

část skladu: 2445

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání
NSBA114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114TF3T5G

část skladu: 105796

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Na přání