Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

ATP114-TL-H

část skladu: 118969

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 55A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

ATP405-TL-H

část skladu: 97142

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

AO4441

část skladu: 179448

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 4A, 10V,

AON3414

část skladu: 137746

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

AON2406

část skladu: 155158

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V,

AO4419

část skladu: 170873

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

AON6250

část skladu: 66683

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.5A (Ta), 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

AO6405

část skladu: 106069

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AOTF5N50FD_001

část skladu: 9577

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50M

část skladu: 9614

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_002

část skladu: 9561

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8T50PL

část skladu: 9621

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810 mOhm @ 4A, 10V,

AON6403L

část skladu: 9620

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

AON6260L

část skladu: 9616

AO7400L

část skladu: 9623

AO4447AL_201

část skladu: 9597

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17A, 10V,

AO4435L_104

část skladu: 9591

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

AO3422L_103

část skladu: 9558

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 4.5V,

AO4430L_102

část skladu: 6010

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AO4425L

část skladu: 9551

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 38V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 20V,

AOI4TL60

část skladu: 9600

AON6370_001

část skladu: 9574

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A (Ta), 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AO6409A_102

část skladu: 9532

AOD4185_003

část skladu: 9600

AO3418_101

část skladu: 9536

AOTF12N60FD_001

část skladu: 9605

AO3400_101

část skladu: 9593

AO4440L

část skladu: 9560

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V,

AOT462_001

část skladu: 9595

AON7450L

část skladu: 5979

AUXCLFZ24NSTRL

část skladu: 9658

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

APT35SM70B

část skladu: 9534

Typ FET: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 10A, 20V,

APT4012BVRG

část skladu: 6001

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 37A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

APT12080JVR

část skladu: 9535

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 7.5A, 10V,

APT8018JN

část skladu: 9512

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 20A, 10V,

APT1001R1BN

část skladu: 5957

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V,