| Typ | Popis |
| Stav součásti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 120mA (Ta) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 100pF @ 25V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 700mW (Ta) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balíček zařízení dodavatele | TO-92-3 |
| Balení / pouzdro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
