Typ | Popis |
Stav součásti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
Vgs (max.) | ±8V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 470pF @ 10V |
Funkce FET | Schottky Diode (Isolated) |
Ztrátový výkon (max.) | 330mW (Ta) |
Provozní teplota | 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | VS-8 (2.9x1.5) |
Balení / pouzdro | 8-SMD, Flat Lead |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |