Typ | Popis |
Stav součásti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 38A (Tc) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 9.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 5230pF @ 50V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
Provozní teplota | -50°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | TO-252, (D-Pak) |
Balení / pouzdro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |