| Typ | Popis |
| Stav součásti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 28A (Tc) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
| Vgs (max.) | ±25V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2700pF @ 100V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 190W (Tc) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balíček zařízení dodavatele | I2PAKFP (TO-281) |
| Balení / pouzdro | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
