SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Modely EDA / CAD:
SIR610DP-T1-RE3 PCB stopa a symbol
Zdrojový zdroj:
Továrna Přebytek akcií / franchised distributor
Záruka:
1 rok záruka endezo
Popis:
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8 More info
Datasheet:
SKU: #b1aba291-7c1e-51ce-f998-7cfbb6ec22b4

Podíl:  

Vlastnosti produktu

Typ Popis
Stav součásti
Typ FET
Technologie
Drain to Source Voltage (Vdss)
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (max.)
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds
Funkce FET
Ztrátový výkon (max.)
Provozní teplota
Typ montáže
Balíček zařízení dodavatele
Balení / pouzdro

Klasifikace životního prostředí a vývozu

Stav RoHS. Rohs kompatibilní
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) Nelze použít
Stav životního cyklu Zastaralý / Konec života
Kategorie Dostupné zásoby

Mohlo by se vám také líbit