| Typ | Popis |
| Stav součásti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 25A (Tc) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 8V |
| Vgs (max.) | ±8V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 4300pF @ 10V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Provozní teplota | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balíček zařízení dodavatele | PowerPAK® ChipFet Single |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
