Typ | Popis |
Stav součásti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 25A (Tc) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 8V |
Vgs (max.) | ±8V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 4300pF @ 10V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Provozní teplota | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | PowerPAK® ChipFet Single |
Balení / pouzdro | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |