SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

Modely EDA / CAD:
SI1011X-T1-GE3 PCB stopa a symbol
Zdrojový zdroj:
Továrna Přebytek akcií / franchised distributor
Záruka:
1 rok záruka endezo
Popis:
MOSFET P-CH 12V SC-89 More info
Datasheet:
SKU: #9ec12a5e-38fe-6cea-317a-6d5009543912

Podíl:  

Vlastnosti produktu

Typ Popis
Stav součásti
Typ FET
Technologie
Drain to Source Voltage (Vdss)
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (max.)
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds
Funkce FET
Ztrátový výkon (max.)
Provozní teplota
Typ montáže
Balíček zařízení dodavatele
Balení / pouzdro

Klasifikace životního prostředí a vývozu

Stav RoHS. Rohs kompatibilní
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) Nelze použít
Stav životního cyklu Zastaralý / Konec života
Kategorie Dostupné zásoby

Mohlo by se vám také líbit