| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funkce FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 16A, 46A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 5.85mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1092pF @ 10V |
| Výkon - max | 1.7W, 2.5W |
| Provozní teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Balíček zařízení dodavatele | HSO8-F3-B |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
