Typ | Popis |
Stav součásti | Active |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Vgs (max.) | ±8V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2330pF @ 10V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 2.5W (Ta) |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | 8-SOIC |
Balení / pouzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |