Typ | Popis |
Stav součásti | Active |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 780mA (Ta) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.45V |
Vgs (max.) | ±12V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 97pF @ 15V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 540mW (Ta) |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | Micro3™/SOT-23 |
Balení / pouzdro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |