Typ | Popis |
Stav součásti | Active |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 360pF @ 25V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 1.3W (Ta) |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole |
Balíček zařízení dodavatele | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Balení / pouzdro | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |