Typ | Popis |
Stav součásti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 650pF @ 25V |
Funkce FET | Schottky Diode (Isolated) |
Ztrátový výkon (max.) | 2W (Ta) |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | 8-SO |
Balení / pouzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |