| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 100A (Tc) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | - |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 769W (Tc) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balíček zařízení dodavatele | TO-258 |
| Balení / pouzdro | TO-258-3, TO-258AA |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
