Typ | Popis |
Stav součásti | Active |
---|---|
Typ FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Funkce FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V, 80V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 3.4A, 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 210pF @ 50V |
Výkon - max | 2.5W |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balení / pouzdro | 12-WDFN Exposed Pad |
Balíček zařízení dodavatele | 12-MLP (5x4.5) |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |