| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funkce FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Výkon - max | 700mW |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | 6-VDFN Exposed Pad |
| Balíček zařízení dodavatele | 6-MicroFET (2x2) |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
