| Typ | Popis |
| Stav součásti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Vgs (max.) | ±8V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Funkce FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Ztrátový výkon (max.) | 1.4W (Ta) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balíček zařízení dodavatele | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Balení / pouzdro | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
