| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ diody | Single Phase |
| Technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Napětí - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
| Current - Average Rectified (Io) | 6.6A |
| Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If | 2.1V @ 4A |
| Aktuální - zpětný únik @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balení / pouzdro | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Balíček zařízení dodavatele | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
