| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Funkce FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Výkon - max | - |
| Provozní teplota | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | 9-VFBGA |
| Balíček zařízení dodavatele | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
