| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funkce FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Výkon - max | 820mW |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Balíček zařízení dodavatele | TSOT-26 |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
