| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Funkce FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 6A, 4.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 590pF @ 15V |
| Výkon - max | 1.5W |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Balíček zařízení dodavatele | 8-SO |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
