| Typ | Popis |
| Stav součásti | Obsolete |
|---|---|
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 50A (Tj) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (max.) | +25V, -5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 313mW (Tj) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balíček zařízení dodavatele | Die |
| Balení / pouzdro | Die |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
