| Typ | Popis |
| Stav součásti | Active |
|---|---|
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 10A (Tc) |
| Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370 mOhm @ 6A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 20V |
| Vgs (max.) | +25V, -10V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 259pF @ 1000V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 62.5W (Tc) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balíček zařízení dodavatele | TO-247-3 |
| Balení / pouzdro | TO-247-3 |
| Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
|---|---|
| Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
| Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
| Kategorie | Dostupné zásoby |
