Typ | Popis |
Stav součásti | Active |
---|---|
Typ FET | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±25V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 4785pF @ 15V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | PG-TSDSON-8 |
Balení / pouzdro | 8-PowerTDFN |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |