Typ | Popis |
Stav součásti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 80A (Tc) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
Vgs (max.) | +25V, -10V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 625W (Tc) |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | D3Pak |
Balení / pouzdro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |