Typ | Popis |
Stav součásti | Active |
---|---|
Typ FET | N and P-Channel |
Funkce FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2300pF @ 30V |
Výkon - max | 2W |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balení / pouzdro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Balíček zařízení dodavatele | 8-SOIC |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |