Diody - Usměrňovače - Jednoduché

C3D04060F

část skladu: 37807

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D05120E-TR

část skladu: 20880

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 19A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D10120E-TR

část skladu: 10448

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 33A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D06060G-TR

část skladu: 40422

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 19A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io),

C3D02065E-TR

část skladu: 114886

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 8A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D08060G-TR

část skladu: 30363

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 24A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D03065E-TR

část skladu: 76100

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 11A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D02060E-TR

část skladu: 122143

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D10060G-TR

část skladu: 24327

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 29A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D04065E-TR

část skladu: 57453

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 13.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D03060E-TR

část skladu: 80343

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 11A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C4D08120E-TR

část skladu: 13953

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 24.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D04060E-TR

část skladu: 60464

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 13.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

E4D20120A

část skladu: 634

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 54.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

CPW3-1700-S025B-WP

část skladu: 1137

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 25A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C2D05120A

část skladu: 9158

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 17.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D15120H

část skladu: 501

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 39A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

CPW3-1700-S010B-WP

část skladu: 3535

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D08120A

část skladu: 8738

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 24.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 7.5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D20120H

část skladu: 3141

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 54A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D10120H

část skladu: 3213

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 31.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D25170H

část skladu: 1223

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 26.3A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.5V @ 25A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

CVFD20065A

část skladu: 7144

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 57A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.45V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C4D15120A

část skladu: 4355

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 43.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D03060A

část skladu: 50190

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 11A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 3A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D16065A

část skladu: 9050

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 39A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 16A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C2D05120E-TR

část skladu: 14702

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 17.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D04065A

část skladu: 35635

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 13.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 4A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D12065A

část skladu: 11857

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 35A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D06065A

část skladu: 23636

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 19A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D08065I

část skladu: 17098

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 16.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D08065A

část skladu: 17783

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 24A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 8A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C2D05120E

část skladu: 9200

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 17.5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D10170H

část skladu: 3661

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 14.4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

C3D10065A

část skladu: 14272

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

CPW2-1200-S010B-SK

část skladu: 1446