Snímací vzdálenost: 0.157" (4mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 32V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, Metoda snímání: Reflective, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 100mA, Typ výstupu: PIN Photodiode,
Snímací vzdálenost: 0.02" (0.5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 20V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 20mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 100mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.591" (15mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 70V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 60mA, Typ výstupu: Phototransistor,
Snímací vzdálenost: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, Metoda snímání: Reflective, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: PIN Photodiode,
Snímací vzdálenost: 0.197" (5mm), Metoda snímání: Reflective, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 32V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Proud - DC vpřed (pokud) (max.): 50mA, Typ výstupu: Phototransistor,
