Paměť | Integrované obvody (IC) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

část skladu: 31647

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Velikost paměti: 1Gb (128M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 25ns,

Seznam přání

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

část skladu: 1188

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Velikost paměti: 1Gb (128M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 25ns,

Seznam přání

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

část skladu: 2187

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Velikost paměti: 1Gb (128M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 25ns,

Seznam přání

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

část skladu: 31568

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Velikost paměti: 1Gb (128M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 25ns,

Seznam přání

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

část skladu: 33157

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Velikost paměti: 1Gb (128M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 25ns,

Seznam přání

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

část skladu: 33183

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Velikost paměti: 1Gb (128M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 25ns,

Seznam přání