Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
SS14L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L RUG

část skladu: 106

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS23L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L R3G

část skladu: 98

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1ML M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML M2G

část skladu: 188

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.8µs,

Seznam přání
S1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AL R3G

část skladu: 186

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.8µs,

Seznam přání
UG58GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58GHB0G

část skladu: 186

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.1V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
RS1JLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHR3G

část skladu: 121

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
SRT14 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT14 A0G

část skladu: 154

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RSFJL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJL M2G

část skladu: 135

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
SS210L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L RUG

část skladu: 189

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SR215 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR215 R0G

část skladu: 114

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL M2G

část skladu: 137

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
ES1LD M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LD M2G

část skladu: 117

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
F1T4G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4G A1G

část skladu: 180

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
RS1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL R3G

část skladu: 156

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
RS1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL R3G

část skladu: 137

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
HS1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1JL RVG

část skladu: 129

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
RSFBL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL R3G

část skladu: 187

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SS215L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L R3G

část skladu: 158

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS14LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14LHR3G

část skladu: 167

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
UG56G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56G B0G

část skladu: 148

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.55V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
SS16LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHM2G

část skladu: 135

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS23LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHR3G

část skladu: 157

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
ES1JLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHM2G

část skladu: 149

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
S1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHR3G

část skladu: 124

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.8µs,

Seznam přání
SS15L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L R3G

část skladu: 120

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
UGS5JHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

UGS5JHMNG

část skladu: 127

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
RS1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL RUG

část skladu: 173

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
ES1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GL RUG

část skladu: 186

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
F1T6G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T6G A0G

část skladu: 113

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
S1ALHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHRVG

část skladu: 110

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.8µs,

Seznam přání
RSFBLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHR3G

část skladu: 152

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
S1GLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHRUG

část skladu: 159

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 1.8µs,

Seznam přání
SRT115 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT115 A0G

část skladu: 99

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
RS1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRUG

část skladu: 128

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
UG54GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG54GHB0G

část skladu: 147

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.05V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Seznam přání
RS1KLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHR3G

část skladu: 132

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 800mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání