Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
SF15G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF15G A0G

část skladu: 99

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SR102 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR102 R1G

část skladu: 121

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFT16G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT16G A0G

část skladu: 105

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MUR190 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190 A0G

část skladu: 125

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 900V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
SRT13 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT13 A1G

část skladu: 169

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
FR106G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR106G R1G

část skladu: 175

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
GPAS1003 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

GPAS1003 MNG

část skladu: 81

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SRAS2060 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2060 MNG

část skladu: 129

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SRA840 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA840 C0G

část skladu: 102

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
FR152GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR152GHA0G

část skladu: 165

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SRAF890HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF890HC0G

část skladu: 126

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
F1T7GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7GHR0G

část skladu: 87

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
SR002 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR002 R1G

část skladu: 117

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
FR105G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR105G R1G

část skladu: 105

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
UF1GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GHB0G

část skladu: 161

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SRT16HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT16HA0G

část skladu: 133

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SF45GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF45GHA0G

část skladu: 90

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SR1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1030HC0G

část skladu: 108

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SRAS2050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2050HMNG

část skladu: 169

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
F1T5G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T5G A1G

část skladu: 103

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
MUR190AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190AHB0G

část skladu: 107

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 900V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
HER107G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER107G A0G

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
SRAF1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1030HC0G

část skladu: 121

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SF32GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF32GHA0G

část skladu: 163

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SR810HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR810HB0G

část skladu: 101

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
UF1GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GHA0G

část skladu: 121

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SF15GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF15GHR1G

část skladu: 100

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SRA8150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA8150HC0G

část skladu: 147

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
HER606G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER606G A0G

část skladu: 152

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
F1T2G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T2G R0G

část skladu: 152

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
SRAF530HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF530HC0G

část skladu: 116

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
HT15G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT15G A0G

část skladu: 171

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SR106 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR106 R1G

část skladu: 132

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
UF1BHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1BHB0G

část skladu: 118

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
UF1KHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1KHB0G

část skladu: 114

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání
SFT12G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT12G A0G

část skladu: 115

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání