Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
HT14G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT14G A1G

část skladu: 103

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7100HC0G

část skladu: 147

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 7.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFAF802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF802G C0G

část skladu: 124

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MBRF1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1690HC0G

část skladu: 156

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 16A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFAF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003G C0G

část skladu: 115

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF801GHC0G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
S1GLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLS RVG

část skladu: 99

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GHC0G

část skladu: 74

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
HERA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA803G C0G

část skladu: 153

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SFAF806GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806GHC0G

část skladu: 87

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MBRF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050HC0G

část skladu: 97

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SS115LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115LS RVG

část skladu: 86

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 900mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFAS804GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804GHMNG

část skladu: 86

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SFAF1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002GHC0G

část skladu: 98

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SFF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1608G C0G

část skladu: 145

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
RS1DFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFS MXG

část skladu: 120

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JDHC0G

část skladu: 66

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 3.1V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 45ns,

Seznam přání
MUR160A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160A A0G

část skladu: 138

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
HERA804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA804G C0G

část skladu: 69

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání
SFF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF508G C0G

část skladu: 160

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 2.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
HERAF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1008G C0G

část skladu: 163

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 80ns,

Seznam přání
SFF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2003G C0G

část skladu: 119

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2008G C0G

část skladu: 86

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
LSR103 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR103 L0G

část skladu: 138

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
UGA15120HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGA15120HC0G

část skladu: 110

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.9V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 65ns,

Seznam přání
SFF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007GA C0G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 500V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1635HC0G

část skladu: 145

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 630mV @ 16A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFAF1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1008GHC0G

část skladu: 90

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
SFF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002GHC0G

část skladu: 74

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
S1DLS RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS RQG

část skladu: 117

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
SFF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004GHC0G

část skladu: 107

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 975mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 35ns,

Seznam přání
MBRF790 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF790 C0G

část skladu: 151

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 7.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MBRF1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635HC0G

část skladu: 137

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 630mV @ 16A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MBRF1035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035 C0G

část skladu: 156

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
S1GLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLSHRQG

část skladu: 118

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1.2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
MBRF760 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF760 C0G

část skladu: 155

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 7.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání