Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.55V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 730mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 350V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 15.2ns,
Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 5A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 5A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 6A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 930mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 930mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 790mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 6.7ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 10mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 420mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 14.6ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 560mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 560mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 26.35ns,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 890mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 640mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 765mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 10mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),