Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 10V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 13V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 10V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 13V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 10V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 13V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 10V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Řízená konfigurace: High-Side or Low-Side, Typ kanálu: Independent, Počet ovladačů: 2, Typ brány: IGBT, N-Channel MOSFET, Napětí - napájení: 13V ~ 20V, Logické napětí - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,