Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 1.53 Ohm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 400 mOhm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 1 Ohm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 740 mOhm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 600 mOhm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 1 Ohm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 740 mOhm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 260 mOhm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 600 mOhm,
Konfigurace výstupu: Half Bridge, Aplikace: General Purpose, Rozhraní: On/Off, Typ zatížení: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds On (Typ): 1.53 Ohm,