Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

ON Semiconductor

NTD4805N-35G

část skladu: 509

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4809NH-35G

část skladu: 437

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTJS3157NT2

část skladu: 389

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4809N-1G

část skladu: 519

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FDMS8692

část skladu: 6064

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), 28A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTR4503NT3G

část skladu: 364

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4809NH-1G

část skladu: 479

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD70N03RG

část skladu: 292

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTF3055L175T3

část skladu: 346

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FDMC8884

část skladu: 146845

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD95N02RT4G

část skladu: 321

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4806N-1G

část skladu: 461

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTP85N03G

část skladu: 308

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 28V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 85A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FDS8670

část skladu: 551

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 21A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4863NAT4G

část skladu: 6115

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTHD3133PFT3G

část skladu: 539

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Tj), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FDS8812NZ

část skladu: 426

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTGS4111PT2G

část skladu: 472

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTGS3441BT1G

část skladu: 505

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTMFS4837NT3G

část skladu: 485

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), 74A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTMSD3P102R2SG

část skladu: 6031

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.34A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD6600NT4

část skladu: 319

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTMD4884NFR2G

část skladu: 535

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4809N-35G

část skladu: 515

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTK3134NT5G

část skladu: 507

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 750mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4857N-35G

část skladu: 446

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4804NA-35G

část skladu: 6086

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FDZ201N

část skladu: 357

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FQPF10N60CF

část skladu: 330

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

FDS8874

část skladu: 596

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD3808NT4G

část skladu: 593

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 16V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4808N-35G

část skladu: 495

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4856N-35G

část skladu: 475

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTGS3443BT1G

část skladu: 458

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTMFS4707NT1G

část skladu: 314

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

NTD4302-1G

část skladu: 303

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

3600

«
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
»