Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

NTMFS4C09NT1G-001

část skladu: 1932

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

FDB52N20TM

část skladu: 54760

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V,

SCH1433-S-TL-H

část skladu: 1918

NVMFS5C670NLWFT3G

část skladu: 123953

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

NVMFS5C670NLT1G

část skladu: 125470

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

HUFA75852G3-F085

část skladu: 6252

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 75A, 10V,

NDF04N60ZG-001

část skladu: 152544

NTLJS3A18PZTWG

část skladu: 1903

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V,

WPB4001-1E

část skladu: 1886

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 13A, 10V,

FDB8441-F085

část skladu: 1837

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Ta), 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V,

NVMFS5C673NLT3G

část skladu: 177453

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V,

FDD8878

část skladu: 109025

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 35A, 10V,

NTLUS3A40PZCTBG

část skladu: 1885

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

NVMFS5C404NWFT1G

část skladu: 42288

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 53A (Ta), 378A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 50A, 10V,

NVB6413ANT4G

část skladu: 6266

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 42A, 10V,

EFC6604R-A-TR

část skladu: 143222

FDPF8N50NZU

část skladu: 50932

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

NVD4808NT4G

část skladu: 1896

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

FDPF16N50T

část skladu: 28641

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V,

EFC4612R-TR

část skladu: 133854

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V,

NVB5860NLT4G

část skladu: 27150

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

NVMFS5C442NLWFT3G

část skladu: 144075

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 27A (Ta), 127A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

FDMS3006SDC

část skladu: 49875

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 34A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

NDD60N550U1-35G

část skladu: 71951

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,

FDMA0104

část skladu: 1862

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V,

NVMFS5C450NWFT3G

část skladu: 166870

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS6B14NWFT1G

část skladu: 78361

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

FCPF11N65

část skladu: 1842

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

NVMFS5C450NLT3G

část skladu: 194011

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

MCH6437-P-TL-E

část skladu: 1824

CPH3355-TL-H

část skladu: 1911

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1A, 10V,

NVMFS5C612NLWFT3G

část skladu: 45093

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A (Ta), 235A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

NVB6412ANT4G

část skladu: 80329

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2 mOhm @ 58A, 10V,

HUFA75321D3ST

část skladu: 166076

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

FDMC7692S-F127

část skladu: 1858

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12.5A (Ta), 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12.5A, 10V,

NVMFS5C430NLT3G

část skladu: 126850

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,