Menu
češtinačeština
0RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
FCA16N60N
ON Semiconductor

FCA16N60N

část skladu: 10760

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání
FCH165N60E
ON Semiconductor

FCH165N60E

část skladu: 16887

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11.5A, 10V,

Seznam přání
FQP45N15V2
ON Semiconductor

FQP45N15V2

část skladu: 33627

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 45A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 22.5A, 10V,

Seznam přání
FDP047N08
ON Semiconductor

FDP047N08

část skladu: 20821

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 164A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
FQP16N25
ON Semiconductor

FQP16N25

část skladu: 46430

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání
HUF75345P3
ON Semiconductor

HUF75345P3

část skladu: 21385

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání
FQA32N20C
ON Semiconductor

FQA32N20C

část skladu: 27886

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání
FDPF5N50FT
ON Semiconductor

FDPF5N50FT

část skladu: 39235

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 2.25A, 10V,

Seznam přání
FCH190N65F-F085
ON Semiconductor

FCH190N65F-F085

část skladu: 2900

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 27A, 10V,

Seznam přání
NTD4858N-35G
ON Semiconductor

NTD4858N-35G

část skladu: 103156

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
FDP2552
ON Semiconductor

FDP2552

část skladu: 24297

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), 37A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

Seznam přání
FDPF390N15A
ON Semiconductor

FDPF390N15A

část skladu: 51647

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
FQA9P25
ON Semiconductor

FQA9P25

část skladu: 35064

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 5.25A, 10V,

Seznam přání
FQA46N15
ON Semiconductor

FQA46N15

část skladu: 21584

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
FDL100N50F
ON Semiconductor

FDL100N50F

část skladu: 4246

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání
FCH150N65F-F155
ON Semiconductor

FCH150N65F-F155

část skladu: 2893

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání
FQL40N50
ON Semiconductor

FQL40N50

část skladu: 15183

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
FQP7N80C
ON Semiconductor

FQP7N80C

část skladu: 41400

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.3A, 10V,

Seznam přání
HUFA75639S3ST
ON Semiconductor

HUFA75639S3ST

část skladu: 54409

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Seznam přání
FDA16N50LDTU
ON Semiconductor

FDA16N50LDTU

část skladu: 27168

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8.3A, 10V,

Seznam přání
FQA62N25C
ON Semiconductor

FQA62N25C

část skladu: 8626

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 62A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 31A, 10V,

Seznam přání
FDP047N10
ON Semiconductor

FDP047N10

část skladu: 36891

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání
FQA10N80C-F109
ON Semiconductor

FQA10N80C-F109

část skladu: 2095

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,

Seznam přání
FCP150N65F
ON Semiconductor

FCP150N65F

část skladu: 23287

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání
FDB9503L-F085
ON Semiconductor

FDB9503L-F085

část skladu: 4317

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 110A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
NTP082N65S3F
ON Semiconductor

NTP082N65S3F

část skladu: 3296

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
FDB12N50TM
ON Semiconductor

FDB12N50TM

část skladu: 55052

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání
NTD4815N-35G
ON Semiconductor

NTD4815N-35G

část skladu: 110995

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
FDPF5N50UT
ON Semiconductor

FDPF5N50UT

část skladu: 43408

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání
FDP083N15A-F102
ON Semiconductor

FDP083N15A-F102

část skladu: 4115

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 83A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání
FDA59N30
ON Semiconductor

FDA59N30

část skladu: 19373

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 59A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 29.5A, 10V,

Seznam přání
FQA140N10
ON Semiconductor

FQA140N10

část skladu: 11982

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V,

Seznam přání
FQH8N100C
ON Semiconductor

FQH8N100C

část skladu: 20745

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 4A, 10V,

Seznam přání
FDB14AN06LA0-F085
ON Semiconductor

FDB14AN06LA0-F085

část skladu: 4259

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 67A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 67A, 10V,

Seznam přání
FDA20N50-F109
ON Semiconductor

FDA20N50-F109

část skladu: 2761

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 11A, 10V,

Seznam přání
FDP42AN15A0
ON Semiconductor

FDP42AN15A0

část skladu: 63172

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání