Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
HUF76439S3ST
ON Semiconductor

HUF76439S3ST

část skladu: 52379

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání
FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor

FDB045AN08A0-F085

část skladu: 64

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
NTD4904NT4G
ON Semiconductor

NTD4904NT4G

část skladu: 178458

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A (Ta), 79A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
NTD24N06T4G
ON Semiconductor

NTD24N06T4G

část skladu: 183950

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
FDP7N60NZ
ON Semiconductor

FDP7N60NZ

část skladu: 89755

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V,

Seznam přání
FDD86110
ON Semiconductor

FDD86110

část skladu: 65814

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12.5A (Ta), 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

Seznam přání
FDP150N10A-F102
ON Semiconductor

FDP150N10A-F102

část skladu: 88

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání
FQP6N80C
ON Semiconductor

FQP6N80C

část skladu: 89271

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V,

Seznam přání
NTLUS4C12NTAG
ON Semiconductor

NTLUS4C12NTAG

část skladu: 154063

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání
NVD5C460NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C460NLT4G

část skladu: 129

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), 73A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
FDD6680AS
ON Semiconductor

FDD6680AS

část skladu: 165412

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 55A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Seznam přání
CPH3350-TL-W
ON Semiconductor

CPH3350-TL-W

část skladu: 144634

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání
FDD3690
ON Semiconductor

FDD3690

část skladu: 118201

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5.4A, 10V,

Seznam přání
FQB11N40CTM
ON Semiconductor

FQB11N40CTM

část skladu: 83287

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

Seznam přání
ECH8309-TL-H
ON Semiconductor

ECH8309-TL-H

část skladu: 156152

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Seznam přání
FDMC2674
ON Semiconductor

FDMC2674

část skladu: 113572

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 220V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366 mOhm @ 1A, 10V,

Seznam přání
FDMS7672AS
ON Semiconductor

FDMS7672AS

část skladu: 155908

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19A (Ta), 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT1G

část skladu: 72

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání
NVATS68301PZT4G
ON Semiconductor

NVATS68301PZT4G

část skladu: 118

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
MCH3375-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3375-TL-W-Z

část skladu: 110864

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Seznam přání
FQD7N10LTM
ON Semiconductor

FQD7N10LTM

část skladu: 145414

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

Seznam přání
FDD8445
ON Semiconductor

FDD8445

část skladu: 134304

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání
FQD2N60CTM
ON Semiconductor

FQD2N60CTM

část skladu: 190174

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

Seznam přání
NVATS5A108PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A108PLZT4G

část skladu: 84654

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 77A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V,

Seznam přání
FDB0630N1507L
ON Semiconductor

FDB0630N1507L

část skladu: 19651

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání
NVE4153NT1G
ON Semiconductor

NVE4153NT1G

část skladu: 169814

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 915mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání
FDS6298
ON Semiconductor

FDS6298

část skladu: 134298

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání
NVGS3130NT1G
ON Semiconductor

NVGS3130NT1G

část skladu: 154395

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Seznam přání
FDB024N04AL7
ON Semiconductor

FDB024N04AL7

část skladu: 30642

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
FDS8870
ON Semiconductor

FDS8870

část skladu: 94656

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

Seznam přání
MCH6337-TL-W
ON Semiconductor

MCH6337-TL-W

část skladu: 104594

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání
FQB8N90CTM
ON Semiconductor

FQB8N90CTM

část skladu: 48227

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V,

Seznam přání
NVATS4A102PZT4G
ON Semiconductor

NVATS4A102PZT4G

část skladu: 163879

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 44A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
FDD1600N10ALZ
ON Semiconductor

FDD1600N10ALZ

část skladu: 154084

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 3.4A, 10V,

Seznam přání
FQB4N80TM
ON Semiconductor

FQB4N80TM

část skladu: 83054

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V,

Seznam přání
FQT4N25TF
ON Semiconductor

FQT4N25TF

část skladu: 170007

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 830mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 415mA, 10V,

Seznam přání