Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

část skladu: 100908

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

část skladu: 117115

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 270mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2N7000-D75Z

část skladu: 99

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4094-1E

část skladu: 20693

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SJ661-1E

část skladu: 57846

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3746-1E

část skladu: 15517

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3703-1E

část skladu: 40945

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SJ652-1E

část skladu: 33065

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

část skladu: 18892

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3747-1E

část skladu: 15610

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

část skladu: 30646

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

část skladu: 57287

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2N7000BU_T

část skladu: 2253

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

část skladu: 2250

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

část skladu: 2210

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SJ661-1EX

část skladu: 2203

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SJ652-1EX

část skladu: 2120

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

část skladu: 2164

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3703-1EX

část skladu: 2124

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

část skladu: 2140

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4125-1EX

část skladu: 2103

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4098FS

část skladu: 2085

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4125-1E

část skladu: 6248

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání

2SK536-MTK-TB-E

ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

část skladu: 198740

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

část skladu: 1876

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4124-1E

část skladu: 6267

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

část skladu: 1869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

část skladu: 1874

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

část skladu: 1810

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

část skladu: 1812

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4066-1E

část skladu: 1849

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

část skladu: 1839

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

část skladu: 1813

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3748-1E

část skladu: 10717

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

část skladu: 1843

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

ON Semiconductor

2N7002WST1G

část skladu: 1836

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V,

Seznam přání

3600

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»