Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 2

1PS193,115

část skladu: 1062

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 215mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1PS193,135

část skladu: 5187

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 215mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1N914B,113

část skladu: 348

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1N4148,113

část skladu: 9942

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 10mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1N4148,143

část skladu: 9977

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 10mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1N4148,133

část skladu: 9978

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 10mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

část skladu: 9887

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 500mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 500mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

NXP USA Inc.

1N4448,113

část skladu: 9889

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1N4448,143

část skladu: 9886

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

část skladu: 9579

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAT54T,115

část skladu: 1894

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS116T,115

část skladu: 1894

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 215mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3µs,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYC8B-600PQP

část skladu: 1423

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 3.4V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 18ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BY229X-800,127

část skladu: 1511

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.85V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 135ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD17G,115

část skladu: 1052

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.05V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3µs,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAW62,133

část skladu: 1029

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BY229-600,127

část skladu: 496

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 500V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.85V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 135ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAT254,115

část skladu: 478

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 5ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD17K,135

část skladu: 390

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.05V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3µs,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD77D,115

část skladu: 303

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 850mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD37M,115

část skladu: 388

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 600mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 300ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD77B,115

část skladu: 365

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 850mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD17J,115

část skladu: 375

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.05V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3µs,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BYD17D,115

část skladu: 296

Typ diody: Avalanche, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.05V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3µs,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

část skladu: 9889

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.85V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 145ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BY329-1500S,127

část skladu: 9919

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1500V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 6.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 160ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS216,115

část skladu: 9921

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BY359-1500,127

část skladu: 9954

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1500V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 20A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 600ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS216,135

část skladu: 9878

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS16T,115

část skladu: 9970

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 155mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAW62,113

část skladu: 9968

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAW62,143

část skladu: 9956

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 100mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

část skladu: 9620

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 215mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 150mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

část skladu: 9547

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 120mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 40mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS321/ZLX

část skladu: 9538

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání

NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

část skladu: 9610

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 250mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 50ns,

Seznam přání