Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

BUK9Y25-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-80E,115

část skladu: 158384

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 37A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 5V,

Seznam přání

BUK7Y10-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y10-30B,115

část skladu: 111872

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 67A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

BUK7Y13-40B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y13-40B,115

část skladu: 85175

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7M22-80EX

část skladu: 115588

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 37A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

BUK6213-30A,118

Nexperia USA Inc.

BUK6213-30A,118

část skladu: 195714

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 55A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M6R6-30EX

část skladu: 111329

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M9R1-40EX

část skladu: 180232

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 64A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80EX

část skladu: 180909

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M43-100EX

část skladu: 192680

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M15-60EX

část skladu: 168419

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

BUK7Y53-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y53-100B,115

část skladu: 173564

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

BUK7Y18-55B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-55B,115

část skladu: 185207

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7M8R0-40EX

část skladu: 133300

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 69A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7M12-60EX

část skladu: 194417

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 53A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y53-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y53-100B,115

část skladu: 117369

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BSP126,135

část skladu: 181906

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 375mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7M27-80EX

část skladu: 181775

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M35-80EX

část skladu: 172353

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M19-60EX

část skladu: 141900

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y25-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-60E,115

část skladu: 135009

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 34A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y41-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y41-80E,115

část skladu: 158657

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

BUK9245-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9245-55A,118

část skladu: 135060

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M10-30EX

část skladu: 108711

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 54A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK9M24-60EX

část skladu: 184221

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7M10-40EX

část skladu: 182442

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BSS123,215

část skladu: 150743

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7M12-40EX

část skladu: 189511

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 48A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

BUK7Y20-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y20-30B,115

část skladu: 187615

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y22-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y22-30B,115

část skladu: 143999

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 37.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y72-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y72-80E,115

část skladu: 140495

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y43-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y43-60E,115

část skladu: 139643

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

BUK9Y21-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y21-40E,115

část skladu: 168547

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

BUK9237-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9237-55A,118

část skladu: 193857

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7Y43-60EX

část skladu: 106628

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7Y72-80EX

část skladu: 172331

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

BUK7Y21-40EX

část skladu: 183768

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

1135

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»