Tranzistory - FET, MOSFET - pole | Diskrétní polovodičové v&yacu | 7

APTM10TAM19FPG

část skladu: 905

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

část skladu: 622

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

část skladu: 814

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

část skladu: 825

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

část skladu: 874

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

část skladu: 1737

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

část skladu: 517

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

část skladu: 121

Typ FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

část skladu: 485

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 372A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

část skladu: 202

Typ FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

část skladu: 341

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 116A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

část skladu: 772

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

část skladu: 1322

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

část skladu: 81

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

část skladu: 2039

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

část skladu: 808

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

část skladu: 635

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

část skladu: 726

Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

část skladu: 866

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

část skladu: 400

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 495A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

část skladu: 1457

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

část skladu: 1133

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

část skladu: 485

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

část skladu: 1289

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

část skladu: 748

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

část skladu: 856

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

část skladu: 162

Typ FET: 2 N Channel (Phase Leg), Funkce FET: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 295A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

část skladu: 2258

Typ FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

část skladu: 1478

Typ FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

část skladu: 558

Typ FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

část skladu: 1267

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

část skladu: 1093

Typ FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

část skladu: 1492

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

část skladu: 809

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

část skladu: 757

Typ FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Funkce FET: Super Junction, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Seznam přání

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

část skladu: 379

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV), Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Seznam přání