Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

2N7002T-TP

část skladu: 199

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 115mA, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK3019-TP

část skladu: 139344

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

2SK3018-TP

část skladu: 199518

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

2N7002W-TP

část skladu: 160914

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 115mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002K-TP

část skladu: 145706

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 340mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002-TP

část skladu: 117563

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 115mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

BSS138W-TP

část skladu: 114968

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

SI2321-TP

část skladu: 115180

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

SI2306-TP

část skladu: 189216

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.16A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

SI3420-TP

část skladu: 115723

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V,

MCQ4438-TP

část skladu: 114964

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

SI3407-TP

část skladu: 134767

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

SI3420A-TP

část skladu: 156

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

SI3134KL-TP

část skladu: 170210

SI2305B-TP

část skladu: 209

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

SI1012-TP

část skladu: 171031

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 2.5V,

SI3415-TP

část skladu: 132810

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V,

SI3402-TP

část skladu: 197

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

SI3139KL-TP

část skladu: 132867

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 680mA, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

MCMN2012-TP

část skladu: 132640

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

MCQ4459-TP

část skladu: 170854

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

SI3139KE-TP

část skladu: 141129

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

SI2312-TP

část skladu: 155019

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 1.8V,

MCQ4410-TP

část skladu: 191838

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

MCQ4406-TP

část skladu: 103834

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 4.5V,

MCQ4407-TP

část skladu: 147309

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

SI2333-TP

část skladu: 159552

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 500mA, 1.5V,

MCM1206-TP

část skladu: 100940

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

SI3134KE-TP

část skladu: 9989

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 750mA, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 650mA, 4.5V,

SI2302A-TP

část skladu: 9901

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

SI3415A-TP

část skladu: 9920

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

MCM1208-TP

část skladu: 161005

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

SI2303-TP

část skladu: 125133

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 2A, 4.5V,

SI2307-TP

část skladu: 125722

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.6A, 4.5V,

MCQ9435-TP

část skladu: 181088

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

MCQ4822-TP

část skladu: 197766

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V,