Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 1

HTNFET-D

část skladu: 199

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

část skladu: 199

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

část skladu: 211

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

část skladu: 199

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Seznam přání