Tranzistory - FET, MOSFET - pole

AO4806L

část skladu: 2910

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4803L

část skladu: 2914

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

část skladu: 2939

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

část skladu: 2963

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

část skladu: 2906

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

část skladu: 2971

AO4801AL

část skladu: 2897

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

část skladu: 2928

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

část skladu: 2903

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Standard, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

část skladu: 3349

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

část skladu: 2973

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

část skladu: 2888

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4613_001

část skladu: 2944

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6971

část skladu: 2884

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4952

část skladu: 190149

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AOC2800

část skladu: 2871

Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funkce FET: Logic Level Gate,

AON6974A

část skladu: 2934

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

část skladu: 2849

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A, 42A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

část skladu: 2893

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

část skladu: 2941

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

část skladu: 2858

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

část skladu: 2861

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

část skladu: 2874

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

část skladu: 2920

Typ FET: 2 N-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

část skladu: 2939

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

část skladu: 192153

Typ FET: N and P-Channel, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

část skladu: 2877

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

část skladu: 2917

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

část skladu: 2882

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A, 33A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

část skladu: 2875

Typ FET: 2 P-Channel (Dual), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON3613

část skladu: 2846

Typ FET: N and P-Channel, Common Drain, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON7902

část skladu: 2909

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON7820

část skladu: 2905

Typ FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6922

část skladu: 2854

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A, 31A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA,

AON6918

část skladu: 2899

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

část skladu: 2864

Typ FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funkce FET: Logic Level Gate, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.1A, 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,